| 共催 | (一社)表面技術協会:関東支部,材料機能ドライプロセス部会 | 
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| 日時 | 平成23年6月3日(金) 13:30〜16:45(受付開始13:00) | 
| 会場 | 
			(独)産業技術総合研究所 つくばセンター 共用講堂1F「多目的室」 http://www.aist.go.jp/aist_j/guidemap/tsukuba/center/tsukuba_map_c.html  | 
			
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			講演
			 
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			13:30-14:30
			大面積グラフェンのCVD合成とトランジスタへの応用
			 
			
			(独)産業技術総合研究所
			 
			
			連携研究体グリーン・ナノエレクトロニクスセンター佐藤信太郎
			 
			
			14:30-15:30
			グラフェン低温合成と透明導電膜応用
			 
			
			(独)産業技術総合研究所ナノチューブ応用研究センター長谷川雅考
			 
			
			15:30-15:45
			休憩
			 
			
			15:45-16:45
			グラフェンの化学的合成とヘテロ原子ドーピング
			 
			
			東京大学大学院新領域創成科学研究科斉木幸一朗
			 
	
			
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| 参加費 | 
			本部会会員1社2名迄無料 本会会員1名1,000円 一般1名3,000円 (テキスト代,消費税含む)  | 
			
| 申込方法 | 
			住所,氏名,所属,連絡先(電話番号またはメールアドレス)を明記のうえ, (一社)表面技術協会 材料機能ドライプロセス部会宛Faxまたはメールにてお申し込み下さい。 (Fax:03-3252-3288,E-mail:sfj@ce.mbn.or.jp)  |